Каталог товаров

искать в найденном
Расширенный поиск

Авторизация
Логин
Пароль
Вход

Регистрация  |  Мой пароль?

 

Техника
Дата публикации: 03.01.2014

DRAM-память сместит MRAM


Около двух десятков компаний из Северной Америки и Японии объединили свои силы с одной целью – разработать технологию крупномасштабного выпуска оперативной памяти MRAM на основе магниторезистивной технологии. Как считают эксперты, это будущее для компьютерных чипов. Для обывателя такая новость значит, что грядет революция на рынке ОЗУ, в результате которой компьютеры и мобильные устройства станут работать куда быстрее и производительнее. Отметим, что в своеобразный альянс вошли ведущие производители электроники.

Это Tokyo Electron, Renesas Electronics, Shin-Etsu Chemical, Micron Tech и многие другие. Они отправят своих инженеров-делегатов в японский Университет Тохоку, где под руководством Тецуо Эндо группа ученых будет работать над созданием перспективного устройства памяти. Специалисты подчеркивают, что при помощи технологии MRAM можно будет совершить скачок в производстве компьютеров. Узнаем, что из себя представляет система магниторезистивной памяти. Как оказалось, это память с произвольным доступом, где информация содержится посредством магнитов, а не зарядов электричества, как это принято в DRAM. Основное преимущество – энергонезависимость, что дает возможность сохранять сведения при отключении питания.

В настоящее время распространены NAND и DRAM и на них можно также получить скидки mytoys. Однако разработчики уверены, что инновационные открытия заменят нынешнее поколение ОЗУ, увеличив плотность устройств запоминания, скорость записи данных в 10 раз. При этом в компаниях говорят, что интеграция в мобильные устройства MRAM – приоритетное направление разработок. Это значит, что инновации поспособствуют развитию планшетных компьютеров и коммуникаторов, без того пользующихся диким спросом. Коммерческое производство новинок запланировано на 2018 год.

 

 

Яндекс.Метрика