Инновационные накопители от Samsung |
 Представители компании Samsung заявили о запуске серийного производства трехмерных чипов флэш-памяти. NAND-носители с вертикальной архитектурой отличаются хорошей производительностью и совместимы практически с любыми электронными устройствами, даже с накопителями SSD и встроенной памятью. Инновационные модули характеризуются плотностью записи, равной ста двадцати восьми гигабайтам. Компания разработала и применила систему вертикальных ячеек. Информация размещается при этом в особой части ячеек, отделенной от других. Вертикальные связи проходят сквозь трехмерных массив ячеек.
Благодаря этим приемам новые чипы способны обеспечить масштабируемость, в два раза превышающую масштабируемость носителей предыдущего поколения двухмерных чипов флэш-памяти. На протяжении четырех десятилетий носители памяти разрабатывались на основе плоских структур. Теперь проектные нормы снизились до 10-нм, иногда меньше. В результате масштабируемость достигла своего верхнего предела, а из-за возникновения между ячейками интерференции понизилась надежность традиционных для флэш-памяти решений. Чтобы разработать и произвести NAND-модули, уходило лишнее время и деньги, и это еще один отрицательный фактор. Инновационные модули памяти от Samsung избавлены от подобных проблем.
Схема, структура и процесс производства были переведены на революционный, качественно новый уровень. Девелоперы переработали систему вертикальной компоновки в революционную трехмерную структуру. Это еще более эффективная разработка, чем CTF-архитектура, созданная компанией семь лет назад. Она основана на принципе временного хранения электрического заряда в ячейке, сделанной из диэлектрической прослойки нитрида кремния. Ранее интерференцию близко расположенных ячеек должен был предотвращать плавающий затвор.
|
