Теперь стало возможно увеличить работоспособность и мощность электроники при помощи транзистора от Vishay Intertechnology |
Vishay Intertechnology был выпущен мощнейший n-канальный транзистор MOSFET в 30 вольт, который создан при применении 4-го поколения технологий TrenchFET. Благодаря ему предоставляется возможность увеличения мощностной плотности и работоспособность электроники. У транзистора, который помещен в ультракомпактный корпус, имеется самый низкий порог сопротивления открытых каналов и наибольший показатель постоянного тока среди своих аналогов.
Технические характеристики
MOSFET на 60% имеет меньшие размеры, и представлен одним из наиболее компактнейших транзисторных устройств, которые преобразуют энергию нагрузочных коммутаторов, которые применяются в КПК, различных гаджетах и бытовой электронике.
Благодаря низкому сопротивлению открытых каналов уменьшается потеря проводимости в электронике, увеличивая их КПД. Эти параметры сделали новинку на 51% превосходящей свои предыдущие поколения и на 6% выше аналогов. Кроме того, за счет низкого произведения затворного заряда на уровень сопротивления открытым каналам, транзистор приобретает универсальность для любой электроники.
Уровень максимально допустимого постоянного тока в 37,8 А больше на 68%, чем имеют устройства более раннего выпуска, и в половину выше, чем у аналогов. За счет столь высокого номинального значения устройство может обеспечить хороший мощностной запас для электроники, которая работает в условии большого переходного тока. MOSFET прошел 100% контроль на сопротивление затвора, отвечая всем правилам директив RoHS.
Потребители уже может приобрести как единичный образец, так и промышленную партию. Стоит отметить, что корпус сделан из высокоэкологичного и прочного пластика, и имеет размеры 2х2 мм.
Кстати если вам требуются национальные свадьбы , то обратитесь к профессионалу своего дела, которая сможет правило провести организацию столь важного события в вашей жизни. Благодаря Екатерине Акимовой, вы сможете создать поистине незабываемое празднество.
|