Компания Samsung выпустила в массированное изготовление первую в сфере 3D Vertical NAND память флэш с вертикальной компоновкой |
 На прошлой неделе компания Samsung сделала заявление о старте серийного запуска памяти флэш с компоновкой объемного типа V-NAND – эти интернет новости мы узнали на сайте zaxvatu.net. С помощью нее компания собирается осуществить прорыв и гарантировать возможности для последующего уменьшения в размерах NAND Flash. Новая 3D V-NAND память флэш будет применяться в широком спектре корпоративных решений и электроники потребления, среди них, во встроенных SSD- и NAND-накопителях.
С течением последних тридцати пяти лет память флэш основывалась на структурах плоского типа с применением плавающих затворов. Когда методологии процесса производства добрались до размера 10-нм и менее, последующие возможности сокращения масштаба чипов очутились под вопросом. Причина этому – обоюдное влияние ячеек памяти, которое с большим негативом сказывалось на надежности NAND памяти флэш, а также возросшие финансовые и временные растраты изготовления чипов.
Последние чипы Samsung V-NAND решают указанные выше технические трудности при помощи достижения новейшего уровня инноваций в процессе производства, структуре и цепях. Samsung V-NAND гарантирует плотность 128 гигабит в едином чипе, применяя лицензионную структуру ячеек на базе новой архитектуры CTF и технологии вертикальных соединений, которые связывают ячейки в массив объемного плана.
Для достижения новейшего уровня надежности памяти флэш, корпорация Samsung обновила собственную CTF-архитектуру, которая впервые была разработана еще в далеком 2006 году. В самой последней архитектуре NAND Flash заряд электричества на время размещается в «ячейке ожидания» непроводящего слоя памяти флэш. Этот слой состоит из нитрида кремния вместо обычных плавающих затворов, в свою очередь это дало возможность устранить помехи во время функционирования ячеек, расположенных поблизости.
|
