Оперативная память нового поколенья |
 Двадцать американских и японских компаний, специализирующихся на выпуске и разработке оперативной памяти, решили объединить свои усилия для разработки памяти нового поколения.
Эта память будет более энерго экономичной, намного быстрее, чем сегодняшняя память DRAM (динамическая память с произвольным доступом).
Уже в феврале 2014 года лучшие специалисты с самых популярных компаний в мире поедут в университет Тохоку. Который находится в Японии, где они и начнут разработку новых чипов оперативной памяти нового поколения.
Аббревиатура новой памяти выглядит так: MRAM. Это сокращение от «магниторезисторная память с произвольным доступом.
Ели быть точнее, то такая память была разработана много лет назад, но тогда были более популярные виды памяти, такие как NAND и DRAM. То есть MRAM память никого не интересовала кроме своих разработчиков и еще нескольких ученых, которых тоже заинтересовал этот проект.
Память DRAM использует для хранения данных электрические заряды, то есть отключили питание – очистили оперативную память. Новая память использует для хранения данных магнитные заряды. Эта память сможет сохранять данные даже при отключенном питании.
Аналитики предполагают, что именно этот вид памяти станет популярным среди производителей мобильных телефонов и прочих гаджетов.
В этой гонке победит та компания, которая первой запустит такую память в серийное производство.
Я считаю, что этот вид памяти сделает большой прорыв в мире компьютерной техники.Совсем скоро в продажу начнут поступать ноутбуки, планшеты и телефоны на этой памяти.
|
